Datasheet > FZ600R12KE4HOSA1

FZ600R12KE4HOSA1

更新时间： 2024-11-02 14:50:27

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	626K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FZ600R12KE4HOSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	14 weeks	风险等级：	2.11
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	600 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	810 ns	标称接通时间 (ton)：	370 ns
Base Number Matches：	1

FZ600R12KE4HOSA1 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FZ600R12KE4

62mmꢀC-SerienꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀDiode

62mmꢀC-SeriesꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀdiode

VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_CES= 1200V

I_{C nom}= 600A / I_CRM= 1200A

TypischeꢀAnwendungen

• Hochleistungsumrichter

• Motorantriebe

TypicalꢀApplications

• HighꢀPowerꢀConverters

• MotorꢀDrives

• USV-Systeme

• UPSꢀSystems

• Windgeneratoren

• WindꢀTurbines

ElektrischeꢀEigenschaften

• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀT_vjꢀop

• NiedrigeꢀSchaltverluste

ElectricalꢀFeatures

• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀT_vjꢀop

• LowꢀSwitchingꢀLosses

• SehrꢀgroßeꢀRobustheit

• UnbeatableꢀRobustness

• V_CEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient

• LowꢀV_CEsat

• V_CEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten

• NiedrigesꢀV_CEsat

MechanischeꢀEigenschaften

• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit

• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400

• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken

• IsolierteꢀBodenplatte

MechanicalꢀFeatures

• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀInsulation

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400

• HighꢀCreepageꢀandꢀClearanceꢀDistances

• IsolatedꢀBaseꢀPlate

• Standardgehäuse

• StandardꢀHousing

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

ꢀDigit

ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀMK

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-04

revision:ꢀ2.1

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与FZ600R12KE4HOSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZ600R12KF2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.2KV V(BR)CES \| 600A I(C)
FZ600R12KP4	INFINEON	获取价格	62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode
FZ600R12KP4HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5
FZ600R12KS4	EUPEC	获取价格	62mm C-series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching
FZ600R12KS4	INFINEON	获取价格	Fast short tail IGBT chip
FZ600R12KS4HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 700A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5
FZ600R17KE3	INFINEON	获取价格	IGBT-modules
FZ600R17KE3_S4	INFINEON	获取价格	Viso=4kV, 1 min
FZ600R17KE3HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 840A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5
FZ600R17KE4	INFINEON	获取价格	62mm C-Series module with trench/fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled Diode

与FZ600R12KE4HOSA1相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

5
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

2
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

23
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

24

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FZ600R12KE4HOSA1

FZ600R12KE4HOSA1 技术参数

FZ600R12KE4HOSA1 数据手册

与FZ600R12KE4HOSA1相关器件

与FZ600R12KE4HOSA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FZ600R12KE4HOSA1

FZ600R12KE4HOSA1 技术参数

FZ600R12KE4HOSA1 数据手册

与FZ600R12KE4HOSA1相关器件

与FZ600R12KE4HOSA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？