是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9 | 针数: | 9 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.61 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 600 A |
集电极-发射极最大电压: | 6300 V | 配置: | COMPLEX |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JESD-30 代码: | R-XUFM-X9 |
元件数量: | 3 | 端子数量: | 9 |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 11500 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 6500 ns | 标称接通时间 (ton): | 1120 ns |
VCEsat-Max: | 4.9 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FZ600R65KE3 | INFINEON |
功能相似 |
high insulated module |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FZ750R65KE3 | INFINEON |
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high insulated module | |
FZ750R65KE3NOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 6500V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 | |
FZ750R65KE3T | INFINEON |
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high insulated module | |
FZ75A05KN | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | MODULE-Q | |
FZ75A06KL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | |
FZ75A10KN | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 75A I(C) | MODULE-Q | |
FZ75A12KL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | |
FZ800R06KF3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 800A I(C) | M:HL093HW048 | |
FZ800R12KE3 | INFINEON |
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62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode | |
FZ800R12KF1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 800A I(C) |