5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > FZ800R12KS4_B2
FZ800R12KS4_B2 PDF预览

FZ800R12KS4_B2

更新时间： 2024-11-21 10:22:55
品牌 Logo 应用领域
EUPEC 晶体开关晶体管双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
8页 257K
描述
High Power Module with AlSiC base plate and short tail IGBT2 for high switching frequency

阅读下载

中文翻译

获取价格

FZ800R12KS4_B2 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：MODULE-7
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.6
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：1200 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X7
元件数量：2端子数量：7
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：660 ns
标称接通时间 (ton)：225 nsBase Number Matches：1

FZ800R12KS4_B2 数据手册

 浏览型号FZ800R12KS4_B2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FZ800R12KS4_B2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FZ800R12KS4_B2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FZ800R12KS4_B2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FZ800R12KS4_B2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FZ800R12KS4_B2的Datasheet PDF文件第7页 
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ800R12KS4_B2  
Hochleistungsmodul mit AlSiC Bodenplatte und schnellem IGBT2 für hochfrequentes Schalten  
High Power Module with AlSiC base plate and short tail IGBT2 for high switching frequency  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1200  
V
collector-emitter voltage  
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
800  
1200  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
1600  
7,60  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 800 A, V•Š = 15 V  
I† = 800 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
3,20 3,70  
3,85  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 32,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V, V†Š = 600V  
TÝÎ = 25°C  
4,5  
5,5  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
8,40  
0,56  
52,0  
3,40  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
nF  
nF  
mA  
nA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
I†Š»  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
5,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
400  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 800 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,3 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,10  
0,125  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 800 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,3 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,09  
0,10  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 800 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 1,3 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,53  
0,59  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 800 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 1,3 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,06  
0,07  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 800 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 1,3 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
76,0  
58,0  
6000  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 800 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 1,3 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
mJ  
mJ  
EÓËË  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
16,5 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
13,5  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Marco Bäßler  
approved by: Martin Schulz  
date of publication: 2006-4-7  
revision: 3.1  
1
12345678

中文翻译

下载PDF

与FZ800R12KS4_B2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FZ800R12KS4B2NOSA1 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FZ800R12KS4V2 ETC

获取价格

 		IGBT Module
FZ800R16KF4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.6KV V(BR)CES | 800A I(C)
FZ800R17KF6C_B2 INFINEON

获取价格

 		IGBT
FZ800R17KF6CB2 EUPEC

获取价格

 		IGBT-Modules
FZ800R33KF1 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 3.3KV V(BR)CES | 800A I(C)
FZ800R33KF2C EUPEC

获取价格

 		IGBT-modules
FZ800R33KF2CNOSA1 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 1300A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FZ800R33KL2C EUPEC

获取价格

 		IGBT-modules
FZ800R33KL2C_B5 EUPEC

获取价格

 		IGBT-modules

与FZ800R12KS4_B2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证