Datasheet > FZ800R12KS4B2NOSA1

FZ800R12KS4B2NOSA1

更新时间： 2024-01-27 03:09:03

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	380K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FZ800R12KS4B2NOSA1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	24 weeks
风险等级：	5.67	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	1200 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	COMPLEX	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	660 ns	标称接通时间 (ton)：	225 ns
Base Number Matches：	1

FZ800R12KS4B2NOSA1 数据手册

浏览型号FZ800R12KS4B2NOSA1的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号FZ800R12KS4B2NOSA1的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号FZ800R12KS4B2NOSA1的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号FZ800R12KS4B2NOSA1的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号FZ800R12KS4B2NOSA1的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号FZ800R12KS4B2NOSA1的Datasheet PDF文件第7页

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FZ800R12KS4_B2

HochleistungsmodulꢀmitꢀAlSiCꢀBodenplatteꢀundꢀschnellemꢀIGBT2ꢀfürꢀhochfrequentesꢀSchaltenꢀ

HighꢀPowerꢀModuleꢀwithꢀAlSiCꢀbaseꢀplateꢀandꢀshortꢀtailꢀIGBT2ꢀforꢀhighꢀswitchingꢀfrequencyꢀ

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1200

ꢀ

Collector-emitterꢀvoltage

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

800

1200

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

1600

7,60

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

ꢀ kW

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 800 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

3,20 3,70

3,85

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 32,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V, V_CE= 600V

T_vj= 25°C

4,5

5,5

8,40

0,56

52,0

3,40

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 800 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,3 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,10

ꢀ

0,125

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 800 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,3 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,09

0,10

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 800 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,3 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,53

0,59

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 800 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,3 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,06

0,07

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 800 A, V_CE= 600 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,3 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on

E_off

76,0

58,0

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 800 A, V_CE= 600 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,3 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 900 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

6000

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

16,5 K/kW

K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

13,5

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀWB

approvedꢀby:ꢀPL

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25

revision:ꢀ3.2

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与FZ800R12KS4B2NOSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZ800R12KS4V2	ETC	获取价格	IGBT Module
FZ800R16KF4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.6KV V(BR)CES \| 800A I(C)
FZ800R17KF6C_B2	INFINEON	获取价格	IGBT
FZ800R17KF6CB2	EUPEC	获取价格	IGBT-Modules
FZ800R33KF1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 3.3KV V(BR)CES \| 800A I(C)
FZ800R33KF2C	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FZ800R33KF2CNOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1300A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FZ800R33KL2C	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FZ800R33KL2C_B5	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FZ800R33KL2CNOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1500A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

与FZ800R12KS4B2NOSA1相关文章

晶闸管的静态特性与伏安特性详解
2024-07-11

3
贴片电容的工作原理与参数识别
2024-07-11

3
精密电路设计中的高精电阻：分流电阻
2024-07-11

9
LM7131ACM5手册详解：微型高速单电源运算放大器的深度剖析
2024-07-11

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FZ800R12KS4B2NOSA1

FZ800R12KS4B2NOSA1 技术参数

FZ800R12KS4B2NOSA1 数据手册

与FZ800R12KS4B2NOSA1相关器件

与FZ800R12KS4B2NOSA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FZ800R12KS4B2NOSA1

FZ800R12KS4B2NOSA1 技术参数

FZ800R12KS4B2NOSA1 数据手册

与FZ800R12KS4B2NOSA1相关器件

与FZ800R12KS4B2NOSA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？