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FZ800R12KS4V2

更新时间： 2024-09-30 23:53:19

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IGBT Module

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FZ800R12KS4V2 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FZ800R12KS4

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

V_CES

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

1200

I_C,nom.

I_C

800

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

T_C= 80°C

T_C= 25 °C

1200

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_P= 1 ms, T_C= 80°C

T_C=25°C, Transistor

I_CRM

P_tot

V_GES

I_F

1600

6,9

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

+/- 20V

800

Dauergleichstrom

DC forward current

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

t_P= 1 ms

I_FRM

1600

185

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

kA²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

Charakteristische Werte / Characteristic values

min.

typ. max.

Transistor / Transistor

I_C= 800 A, V_GE= 15V, Tvj = 25°C

V_{CE sat}

3,20

3,85

3,70

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I_C= 800 A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

I_C= 32 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE(th)

C_ies

C_res

Q_G

Gate-Schwellenspannunggate threshold voltage

4,5

5,5

3,4

8,4

6,5

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

V_GE= -15V ... + 15V, V_CE= 600V

V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

µC

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

Gateladung

gate charge

Kollektor-Emitter Reststrom

I_CES

collector-emitter cut-off current

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

I_GES

400

prepared by: A.Schulz

date of publication : 2001-11-29

revision: 2

approved by: M.Hierholzer

FZ800R12KS4_V2.xls

2001-11-29

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