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FZ800R17KF6CB2

更新时间： 2024-11-21 03:09:11

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EUPEC		双极性晶体管
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FZ800R17KF6CB2 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.68	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	1300 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	COMPLEX	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	6600 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1220 ns
标称接通时间 (ton)：	440 ns	VCEsat-Max：	3.1 V
Base Number Matches：	1

FZ800R17KF6CB2 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FZ 800 R 17 KF6C B2

1700V IGBT Modul mit low loss IGBT der 2. Generation und softer EmCon Diode

1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft EmCon Diode

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

V_CES

1700

T_C= 80 °C

I_C,nom.

I_C

800

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

T_C= 25 °C

1300

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_P= 1 ms, T_C= 80°C

T_C=25°C, Transistor

I_CRM

P_tot

V_GES

I_F

1600

6,6

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

+/- 20V

800

Dauergleichstrom

DC forward current

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

t_P= 1 ms

I_FRM

1600

170

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

kA²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

Charakteristische Werte / Characteristic values

min.

typ. max.

Transistor / Transistor

I_C= 800A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

V_{CE sat}

2,6

3,1

3,6

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I_C= 800A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I_C= 60mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE(th)

4,5

5,5

9,6

6,5

Gateladung

gate charge

V_GE= -15V ... +15V

Q_G

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

I_CES

2,7

V_CE= 1700V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

V_CE= 1700V, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

0,02

1,5

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

400

prepared by: Alfons Wiesenthal

date of publication: 04.08.2000

revision: 2 (Series)

approved by: Chr. Lübke; 11.08.2000

1(8)

FZ800R17KF6CB2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZ800R33KF1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 3.3KV V(BR)CES \| 800A I(C)
FZ800R33KF2C	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FZ800R33KF2CNOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1300A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FZ800R33KL2C	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FZ800R33KL2C_B5	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FZ800R33KL2CNOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1500A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FZ800R45KL3_B5	INFINEON	获取价格	10.4kV isolation
FZ800R45KL3B5NOSA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
FZ825R33HE4D	INFINEON	获取价格	Enlarged Diode
FZ8R16K4	ETC	获取价格	IGBT Module

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