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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FZ75A06KL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
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| FZ75A10KN | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 75A I(C) | MODULE-Q |
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| FZ75A12KL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) |
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| FZ800R06KF3 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 800A I(C) | M:HL093HW048 |
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| FZ800R12KE3 | INFINEON |
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62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode |
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| FZ800R12KF1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 800A I(C) |
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| FZ800R12KF4 | ETC |
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IGBT Module |
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| FZ800R12KL4C | INFINEON |
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Technische Information / Technical Information |
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| FZ800R12KS4 | ETC |
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IGBT-Module |
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| FZ800R12KS4_B2 | EUPEC |
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High Power Module with AlSiC base plate and short tail IGBT2 for high switching frequency |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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