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FZ800R12KF4

更新时间： 2024-09-30 23:53:19

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FZ800R12KF4 数据手册

European Power-

Semiconductor and

Electronics Company

GmbH + Co. KG

Marketing Information

FZ 800 R 12 KF 4

61,5

screwing depth

max. 8

130

31,5

114

16,5

2,5

18,5

external connection to be

done

external connection to be

done

A15/97 Mod-E/ 21.Jan 1998 G.Schulze

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZ800R12KL4C	INFINEON	获取价格	Technische Information / Technical Information
FZ800R12KS4	ETC	获取价格	IGBT-Module
FZ800R12KS4_B2	EUPEC	获取价格	High Power Module with AlSiC base plate and short tail IGBT2 for high switching frequency
FZ800R12KS4B2NOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FZ800R12KS4V2	ETC	获取价格	IGBT Module
FZ800R16KF4	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 1.6KV V(BR)CES \| 800A I(C)
FZ800R17KF6C_B2	INFINEON	获取价格	IGBT
FZ800R17KF6CB2	EUPEC	获取价格	IGBT-Modules
FZ800R33KF1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 3.3KV V(BR)CES \| 800A I(C)
FZ800R33KF2C	EUPEC	获取价格	IGBT-modules