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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9 | 针数： | 9 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 12 weeks | 风险等级： | 5.63 |
| 集电极-发射极最大电压： | 6500 V | 配置： | PARALLEL, 3 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X9 | 元件数量： | 3 |
| 端子数量： | 9 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 8100 ns | 标称接通时间 (ton)： | 1200 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FZ750R65KE3T | INFINEON |
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high insulated module |
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| FZ75A05KN | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | MODULE-Q |
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| FZ75A06KL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
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| FZ75A10KN | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 75A I(C) | MODULE-Q |
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| FZ75A12KL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) |
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| FZ800R06KF3 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 800A I(C) | M:HL093HW048 |
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| FZ800R12KE3 | INFINEON |
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62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode |
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| FZ800R12KF1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 800A I(C) |
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| FZ800R12KF4 | ETC |
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IGBT Module |
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| FZ800R12KL4C | INFINEON |
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Technische Information / Technical Information |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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