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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | MODULE-9 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.61 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 1200 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 6300 V | 配置： | COMPLEX |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X9 |
| 元件数量： | 3 | 端子数量： | 9 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 11400 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 6500 ns | 标称接通时间 (ton)： | 1120 ns |
| VCEsat-Max： | 4.9 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FZ600R65KF2 | INFINEON |
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IGBT-modules |
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| FZ750R65KE3 | INFINEON |
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high insulated module |
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| FZ750R65KE3NOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 6500V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 |
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| FZ750R65KE3T | INFINEON |
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high insulated module |
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| FZ75A05KN | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | MODULE-Q |
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| FZ75A06KL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
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| FZ75A10KN | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 75A I(C) | MODULE-Q |
|
| FZ75A12KL | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) |
|
| FZ800R06KF3 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 800A I(C) | M:HL093HW048 |
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| FZ800R12KE3 | INFINEON |
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62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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