5秒后页面跳转
FZ600R17KE3_S4 PDF预览

FZ600R17KE3_S4

更新时间: 2023-12-06 20:13:05
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 628K
描述
Viso=4kV, 1 min

FZ600R17KE3_S4 数据手册

 浏览型号FZ600R17KE3_S4的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FZ600R17KE3_S4的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FZ600R17KE3_S4的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FZ600R17KE3_S4的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FZ600R17KE3_S4的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FZ600R17KE3_S4的Datasheet PDF文件第7页 
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ600R17KE3_S4  
62mmꢀC-SerienꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT3ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀDiode  
62mmꢀC-SeriesꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀdiode  
VCES = 1700V  
IC nom = 600A / ICRM = 1200A  
TypischeꢀAnwendungen  
• Hochleistungsumrichter  
• Motorantriebe  
TypicalꢀApplications  
• HighꢀPowerꢀConverters  
• MotorꢀDrives  
• Windgeneratoren  
• WindꢀTurbines  
ElektrischeꢀEigenschaften  
• NiedrigeꢀSchaltverluste  
ElectricalꢀFeatures  
• LowꢀSwitchingꢀLosses  
• LowꢀVCEsat  
• NiedrigesꢀVCEsat  
• SehrꢀgroßeꢀRobustheit  
• UnbeatableꢀRobustness  
• VCEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient  
• VCEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten  
MechanischeꢀEigenschaften  
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit  
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400  
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken  
• IsolierteꢀBodenplatte  
MechanicalꢀFeatures  
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀInsulation  
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400  
• HighꢀCreepageꢀandꢀClearanceꢀDistances  
• IsolatedꢀBaseꢀPlate  
• Standardgehäuse  
• StandardꢀHousing  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
ꢀDigit  
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
DMXꢀ-ꢀCode  
preparedꢀby:ꢀKY  
approvedꢀby:ꢀWR  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03  
revision:ꢀ3.0  
ULꢀapprovedꢀ(E83335)  
1

与FZ600R17KE3_S4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FZ600R17KE3HOSA1 INFINEON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 840A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5
FZ600R17KE4 INFINEON

获取价格

62mm C-Series module with trench/fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled Diode
FZ600R65KE3 INFINEON

获取价格

high insulated module
FZ600R65KE3NOSA1 INFINEON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 6500V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ600R65KF1 EUPEC

获取价格

IGBT-Module
FZ600R65KF2 INFINEON

获取价格

IGBT-modules
FZ750R65KE3 INFINEON

获取价格

high insulated module
FZ750R65KE3NOSA1 INFINEON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 6500V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ750R65KE3T INFINEON

获取价格

high insulated module
FZ75A05KN ETC

获取价格

TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 500V V(BR)CES | 75A I(C) | MODULE-Q