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FZ600R65KE3NOSA1

更新时间: 2024-11-21 20:10:35
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英飞凌 - INFINEON 局域网功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 467K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6500V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9

FZ600R65KE3NOSA1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:MODULE
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9针数:9
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:12 weeks风险等级:5.06
外壳连接:ISOLATED集电极-发射极最大电压:6500 V
配置:COMPLEXJESD-30 代码:R-XUFM-X9
元件数量:3端子数量:9
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):8100 ns标称接通时间 (ton):1200 ns
Base Number Matches:1

FZ600R65KE3NOSA1 数据手册

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FZ600R65KE3  
hochisolierendesꢀModul  
highꢀinsulatedꢀmodule  
VCES = 6500V  
IC nom = 600A / ICRM = 1200A  
PotentielleꢀAnwendungen  
• Mittelspannungsantriebe  
• Traktionsumrichter  
PotentialꢀApplications  
• Mediumꢀvoltageꢀconverters  
• Tractionꢀdrives  
ElektrischeꢀEigenschaften  
ElectricalꢀFeatures  
• NiedrigesꢀVCEsat  
• LowꢀVCEsat  
MechanischeꢀEigenschaften  
MechanicalꢀFeatures  
AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische  
AlSiC base plate for increased thermal cycling  
Lastwechselfestigkeit  
capability  
Erweiterter Lagertemperaturbereich bis zu Tstg  
=
Extended storage temperature down to Tstg =  
-55°C  
-55°C  
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ600  
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ600  
Gehäuse mit erweiterten  
Package with enhanced insulation of 10.4kV AC  
Isolationseigenschaftenꢀvonꢀ10,4kVꢀACꢀ10s  
10s  
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken  
• Highꢀcreepageꢀandꢀclearanceꢀdistances  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
Digit  
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
DMXꢀ-ꢀCode  
Datasheet  
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument  
Vꢀ3.2  
www.infineon.com  
2018-01-15  

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