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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.58 | 最大集电极电流 (IC)： | 600 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-PUFM-X5 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 3600 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FZ600R12KP4 | INFINEON |
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62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode |
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| FZ600R12KP4HOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 |
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| FZ600R12KS4 | EUPEC |
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62mm C-series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching |
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| FZ600R12KS4 | INFINEON |
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Fast short tail IGBT chip |
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| FZ600R12KS4HOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 700A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 |
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| FZ600R17KE3 | INFINEON |
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IGBT-modules |
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| FZ600R17KE3_S4 | INFINEON |
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Viso=4kV, 1 min |
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| FZ600R17KE3HOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 840A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 |
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| FZ600R17KE4 | INFINEON |
获取价格 |
62mm C-Series module with trench/fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled Diode |
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| FZ600R65KE3 | INFINEON |
获取价格 |
high insulated module |
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