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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FZ600R12KE3 | INFINEON |
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62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode |
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| FZ600R12KE3_B1 | INFINEON |
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62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode |
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| FZ600R12KE3HOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 |
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| FZ600R12KE4 | INFINEON |
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62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode |
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| FZ600R12KE4HOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 |
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| FZ600R12KF2 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C) |
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| FZ600R12KP4 | INFINEON |
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62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode |
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| FZ600R12KP4HOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 |
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| FZ600R12KS4 | EUPEC |
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62mm C-series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching |
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| FZ600R12KS4 | INFINEON |
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Fast short tail IGBT chip |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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