5秒后页面跳转
FZ600R12KE3_B1 PDF预览

FZ600R12KE3_B1

更新时间: 2024-11-02 07:00:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 1582K
描述
62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode

FZ600R12KE3_B1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:MODULE包装说明:MODULE-5
针数:5Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.57
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):900 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X5元件数量:1
端子数量:5最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):2750 W
认证状态:Not Qualified子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):830 ns标称接通时间 (ton):400 ns
VCEsat-Max:2.15 VBase Number Matches:1

FZ600R12KE3_B1 数据手册

 浏览型号FZ600R12KE3_B1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FZ600R12KE3_B1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FZ600R12KE3_B1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FZ600R12KE3_B1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FZ600R12KE3_B1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FZ600R12KE3_B1的Datasheet PDF文件第7页 
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ600R12KE3_B1  
62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode  
62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode  
V†Š» = 1200V  
I† ÒÓÑ = 600A / I†ç¢ = 1200A  
Typische Anwendungen  
Typical Applications  
High Power Converters  
Motor Drives  
Hochleistungsumrichter  
••  
Motorantriebe  
••  
••  
••  
USV-Systeme  
UPS Systems  
Windgeneratoren  
Wind Turbines  
Elektrische Eigenschaften  
Electrical Features  
Niedrige Schaltverluste  
Low Switching Losses  
Unbeatable Robustness  
V†ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient  
Low V†ŠÙÈÚ  
••  
••  
••  
••  
Sehr große Robustheit  
V†ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten  
niedriges V†ŠÙÈÚ  
Mechanische Eigenschaften  
Mechanical Features  
Gehäuse mit CTI > 400  
Große Luft- und Kriechstrecken  
Isolierte Bodenplatte  
Package with CTI > 400  
High Creepage and Clearance Distances  
Isolated Base Plate  
••  
••  
••  
••  
Standardgehäuse  
Standard Housing  
Module Label Code  
Barcode Code 128  
Content of the Code  
Digit  
Module Serial Number  
1 - 5  
Module Material Number  
Production Order Number  
Datecode (Production Year)  
Datecode (Production Week)  
6 - 11  
12 - 19  
20 - 21  
22 - 23  
DMX - Code  
prepared by: MK  
approved by: WR  
date of publication: 2009-08-12  
revision: 3.3  
material no: 21347  
1

与FZ600R12KE3_B1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FZ600R12KE3HOSA1 INFINEON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5
FZ600R12KE4 INFINEON

获取价格

62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode
FZ600R12KE4HOSA1 INFINEON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5
FZ600R12KF2 ETC

获取价格

TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C)
FZ600R12KP4 INFINEON

获取价格

62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode
FZ600R12KP4HOSA1 INFINEON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5
FZ600R12KS4 EUPEC

获取价格

62mm C-series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching
FZ600R12KS4 INFINEON

获取价格

Fast short tail IGBT chip
FZ600R12KS4HOSA1 INFINEON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 700A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5
FZ600R17KE3 INFINEON

获取价格

IGBT-modules