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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3 | 针数： | 5 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.53 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 600 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 3000 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 810 ns | 标称接通时间 (ton)： | 370 ns |
| VCEsat-Max： | 2.1 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FZ600R12KP4 | INFINEON |
功能相似  |
62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FZ600R12KE4HOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 |
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| FZ600R12KF2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 600A I(C) |
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| FZ600R12KP4 | INFINEON |
获取价格 |
62mm C-Serien Modul mit Trench/Fieldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 4 Diode |
|
| FZ600R12KP4HOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 2400A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 |
|
| FZ600R12KS4 | EUPEC |
获取价格 |
62mm C-series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching |
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| FZ600R12KS4 | INFINEON |
获取价格 |
Fast short tail IGBT chip |
|
| FZ600R12KS4HOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 700A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 |
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| FZ600R17KE3 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT-modules |
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| FZ600R17KE3_S4 | INFINEON |
获取价格 |
Viso=4kV, 1 min |
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| FZ600R17KE3HOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 840A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 |
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