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FS75R06KE3BOSA1

更新时间： 2024-11-02 19:58:43

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英飞凌 - INFINEON		局域网栅晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	470K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPACK-28

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FS75R06KE3BOSA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X28
针数：	28	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	5.63	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X28
元件数量：	6	端子数量：	28
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	320 ns	标称接通时间 (ton)：	45 ns
Base Number Matches：	1

FS75R06KE3BOSA1 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS75R06KE3

EconoPACK™ꢀmitꢀschnellemꢀTrench/FeldstopꢀIGBT³ꢀundꢀEmitterꢀControlled3ꢀDiodeꢀ

EconoPACK™ꢀwithꢀfastꢀtrench/fieldstopꢀIGBT³ꢀandꢀEmitterꢀControlled3ꢀdiodeꢀ

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

I_{C nom}

I_CRM

P_tot

ꢀ

600

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

T_C= 70°C, T_{vj max}= 175°C

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

t_P= 1 ms

150

250

+/-20

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

Gesamt-Verlustleistung

T_C= 25°C, T_{vj max}= 175

Totalꢀpowerꢀdissipation

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 75 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,45 1,90

1,60

1,70

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 1,20 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

V_GEth

Q_G

4,9

5,8

0,80

0,0

4,60

0,145

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 600 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

1,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 5,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,025

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 5,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,02

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 5,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,21

0,24

0,25

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 300 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 5,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,06

0,07

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 75 A, V_CE= 300 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (T_vj= 150°C) T_vj= 125°C

R_Gon= 5,1 Ω

T_vj= 25°C

0,35

0,50

0,60

E_on

E_off

T_vj= 150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 75 A, V_CE= 300 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 4000 V/µs (T_vj= 150°C)T_vj= 125°C

R_Goff= 5,1 Ω

T_vj= 25°C

2,40

2,80

3,00

ꢀ

T_vj= 150°C

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 360 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

t_P≤ 8 µs, T_vj= 25°C

t_P≤ 6 µs, T_vj= 150°C

530

380

I_SC

ꢀ

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,20

ꢀ

0,60 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

150

°C

preparedꢀby:ꢀCM

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.0

12 3 4 5 6 7 8

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与FS75R06KE3BOSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS75R06KF	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C)
FS75R06KF2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C)
FS75R06KF3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| 3-PH BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 75A I(C)
FS75R06KL4	EUPEC	获取价格	IGBT-inverter
FS75R07N2E4	INFINEON	获取价格	EconoPACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
FS75R07N2E4_B11	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25
FS75R07N2E4B11BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25
FS75R07N2E4BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-28
FS75R07U1E4	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
FS75R07U1E4BPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor

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