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FQU2N60CTU PDF预览

FQU2N60CTU

更新时间： 2024-11-22 11:13:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 451K
描述
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，1.9 A，4.7 Ω，IPAK

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FQU2N60CTU 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.94
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：120 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.9 A最大漏极电流 (ID)：1.9 A
最大漏源导通电阻：4.7 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：44 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：7.6 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQU2N60CTU 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel,  
QFET)  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DSS  
DS(ON)  
600 V  
4.7 ꢀ @ 10 V  
1.9 A  
600 V, 1.9 A, 4,7 W  
D
FQD2N60C / FQU2N60C  
This N−Channel enhancement mode power MOSFET is produced  
using onsemi’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This  
advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce  
on−state resistance, and to provide superior switching performance  
and high avalanche energy strength. These devices are suitable for  
switched mode power supplies, active power factor correction (PFC),  
and electronic lamp ballasts.  
G
S
Features  
• 1.9 A, 600 V, R  
= 4.7 ꢀ (Max.) @ V = 10 V, I = 0.95 A  
GS D  
• Low Gate Charge (Typ. 8.5 nC)  
• Low Crss (Typ. 4.3 pF)  
DS(on)  
• 100% Avalanche Tested  
• These Devices are Halid Free and are RoHS Compliant  
DPAK3 (IPAK)  
CASE 369AR  
DPAK3 (TO−252 3 LD)  
CASE 369AS  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
MARKING DIAGRAMS  
Symbol  
Rating  
Drain−Source Voltage  
Drain Current − Continuous (T = 25°C)  
Value  
Unit  
V
V
DSS  
600  
$Y&Z&3&K  
FQU  
$Y&Z&3&K  
FQD  
I
D
1.9  
1.14  
A
C
− Continuous (T = 100°C)  
C
2N60C  
2N60C  
I
Drain Current − Pulsed  
Gate−Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2)  
(Note 1)  
7.6  
30  
A
V
DM  
V
GSS  
E
120  
1.9  
4.4  
4.5  
2.5  
mJ  
A
AS  
I
Avalanche Current  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
FQD2N60C,  
FQU2N60C = Device Code  
P
Power Dissipation (T = 25°C) *  
D
A
Power Dissipation (T = 25°C)  
44  
W
$Y  
&Z  
&3  
&K  
= onsemi Logo  
= Assembly Location  
= Date Code  
C
− Derate above 25°C  
0.35  
W/°C  
T , T  
Operating and Storage Temperature  
Range  
−55 to  
+150  
°C  
J
STG  
= Lot Run Traceability Code  
T
Maximum Lead Temperature for  
Soldering Purposes, 1/8”  
300  
°C  
L
ORDERING INFORMATION  
(from case for 5 seconds)  
†
Device  
Package  
Shipping  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
FQD2N60CTM  
FQU2N60CTU  
DPAK3  
(TO−252 3 LD)  
(Pb−Free)  
2500 /  
Tape & Reel  
70 Units / Tube  
DPAK3 (IPAK)  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
April, 2022 − Rev. 3  
FQU2N60C/D  
1234567...9

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与FQU2N60CTU相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQU2N60TU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQU2N60TU ROCHESTER

获取价格

 		2A, 600V, 4.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3
FQU2N80 FAIRCHILD

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 		800V N-Channel MOSFET
FQU2N80TU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQU2N80TU ROCHESTER

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 		1.8A, 800V, 6.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3
FQU2N90 FAIRCHILD

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 		900V N-Channel MOSFET
FQU2N90TU FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 7.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
FQU2N90TU ROCHESTER

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 		1.7A, 900V, 7.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, IPAK-3
FQU2N90TU_AM002 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
FQU2N90TU_WS FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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