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FQS4901TF

更新时间: 2024-11-25 12:31:27
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
8页 666K
描述
N-Channel QFET® MOSFET

FQS4901TF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:SOIC
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数:8
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:3.28
Samacsys Confidence:4Samacsys Status:Released
Samacsys PartID:821490Samacsys Pin Count:8
Samacsys Part Category:MOSFET (N-Channel)Samacsys Package Category:Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name:8sopSamacsys Released Date:2019-10-14 15:32:03
Is Samacsys:N配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:400 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.45 A
最大漏极电流 (ID):0.45 A最大漏源导通电阻:4.2 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:2端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):1.8 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Powers表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

FQS4901TF 数据手册

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March 2013  
FQS4901  
N-Channel QFET® MOSFET  
400 V, 0.45 A, 4.2 Ω  
Features  
Description  
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is  
produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary  
planar stripe and DMOS technology. This advanced  
MOSFET technology has been especially tailored to  
reduce on-state resistance, and to provide superior  
switching performance and high avalanche energy  
strength. These devices are suitable for switched mode  
power supplies, active power factor correction (PFC), and  
electronic lamp ballasts.  
0.45 A, 400 V, RDS(on)=4.2 (Max.)@VGS=10 V, ID=0.225 A  
Low Gate Charge (Typ. 5.8 nC)  
Low Crss (Typ. 5 pF)  
100% Avalanche Tested  
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www.fairchildsemi.com  
©2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQS4901 Rev. C0  

FQS4901TF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQS4901TF_NL FAIRCHILD

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Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 400V, 4.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
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功能相似

DUAL N-CHANNEL 450V - 4.1ohm - 0.4A SO-8 Supe

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQS4901TF_NL FAIRCHILD

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Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 400V, 4.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQS4903 FAIRCHILD

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500V Dual N-Channel MOSFET
FQS4903TF ONSEMI

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N 沟道 QFET® MOSFET 500V,0.37A,6.2Ω
FQT13N06 FAIRCHILD

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60V N-Channel MOSFET
FQT13N06L FAIRCHILD

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60V LOGIC N-Channel MOSFET
FQT13N06LTF FAIRCHILD

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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQT13N06LTF ONSEMI

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功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,60 V,2.8 A,110 mΩ,S
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N-Channel QFET® MOSFET 60 V, 2.8 A, 140 mΩ
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FQT1N60C FAIRCHILD

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N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm