是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 3.28 |
Samacsys Confidence: | 4 | Samacsys Status: | Released |
Samacsys PartID: | 821490 | Samacsys Pin Count: | 8 |
Samacsys Part Category: | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category: | Small Outline Packages |
Samacsys Footprint Name: | 8sop | Samacsys Released Date: | 2019-10-14 15:32:03 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 400 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.45 A |
最大漏极电流 (ID): | 0.45 A | 最大漏源导通电阻: | 4.2 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 1.8 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Powers | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FQS4901TF_NL | FAIRCHILD |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 400V, 4.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
STS1DNC45 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
DUAL N-CHANNEL 450V - 4.1ohm - 0.4A SO-8 Supe |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FQS4901TF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 400V, 4.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FQS4903 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V Dual N-Channel MOSFET | |
FQS4903TF | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 500V,0.37A,6.2Ω | |
FQT13N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET | |
FQT13N06L | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET | |
FQT13N06LTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
FQT13N06LTF | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,逻辑电平,QFET®,60 V,2.8 A,110 mΩ,S | |
FQT13N06TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET® MOSFET 60 V, 2.8 A, 140 mΩ | |
FQT13N06TF | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET,N 沟道,QFET®, 60 V,2.8 A,140 mΩ,SOT-2 | |
FQT1N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm |