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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STS1DNC45
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STS1DNC45

更新时间： 2024-09-29 22:09:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 299K
描述
DUAL N-CHANNEL 450V - 4.1ohm - 0.4A SO-8 SuperMESH⑩ POWER MOSFET

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STS1DNC45 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：8 weeks
风险等级：1.68Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：30 mJ配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：450 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.4 A
最大漏极电流 (ID)：0.4 A最大漏源导通电阻：4.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1.6 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STS1DNC45 数据手册

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STS1DNC45  
DUAL N-CHANNEL 450V - 4.1Ω - 0.4A SO-8  
SuperMESH™ POWER MOSFET  
TYPE  
V
R
I
D
DSS  
DS(on)  
STS1DNC45  
450 V  
< 4.5 Ω  
0.4 A  
■
■
TYPICAL R (on) = 4.1Ω  
DS  
STANDARD OUTLINE FOR EASY  
AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY  
GATE CHARGE MINIMIZED  
■
SO-8  
DESCRIPTION  
The SuperMESH™ series is obtained through an  
extreme optimization of ST’s well established strip-  
based PowerMESH™ layout. In addition to pushing  
on-resistance significantly down, special care is tak-  
en to ensure a very good dv/dt capability for the  
most demanding applications. Such series comple-  
ments ST full range of high voltage MOSFETs in-  
cluding revolutionary MDmesh™ products.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
SWITCH MODE LOW POWER SUPPLIES  
(SMPS)  
■
■
DC-DC CONVERTERS  
LOW POWER, LOW COST CFL (COMPACT  
FLUORESCENT LAMPS)  
■
LOW POWER BATTERY CHARGERS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
450  
Unit  
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
V
V
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
450  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 30  
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
0.40  
0.25  
A
A
D
C
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
1.6  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C Dual Operation  
1.6  
2
W
W
C
Total Dissipation at T = 25°C Single Operation  
C
dv/dt(1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
3
V/ns  
(●) Pulse width limited by safe operating area  
(1)I ≤ 0.4 A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX.  
SD  
DD  
June 2003  
1/8  
12345678

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STS1DNC45 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQS4901TF FAIRCHILD

功能相似

 N-Channel QFET® MOSFET
FQS4901 FAIRCHILD

功能相似

 400V Dual N-Channel MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STS1FRM ETC

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