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STS1NC60

更新时间： 2024-11-23 22:10:11
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
8页 275K
描述
N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A - SO-8 PowerMESH⑩II MOSFET

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STS1NC60 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SO-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.83雪崩能效等级（Eas）：60 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.3 A最大漏极电流 (ID)：0.3 A
最大漏源导通电阻：15 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1.2 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

STS1NC60 数据手册

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STS1NC60  
N-CHANNEL 600V - 12Ω - 0.3A - SO-8  
PowerMESH™II MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STS1NC60  
600 V  
< 15 Ω  
0.3 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 12Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
DESCRIPTION  
SO-8  
The PowerMESH™II is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY™. The layout re-  
finements introduced greatly improve the Ron*area  
figure of merit while keeping the device at the lead-  
ing edge for what concerns swithing speed, gate  
charge and ruggedness.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
AC ADAPTORS AND BATTERY CHARGERS  
■
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
600  
Unit  
V
V
DS  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
600  
V
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
±30  
V
I
D
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
0.3  
A
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
0.18  
1.2  
A
D
C
I
( )  
●
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
TOT  
Total Dissipation at T = 25°C  
2.5  
W
C
Derating Factor  
0.02  
3
W/°C  
V/ns  
°C  
°C  
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
–60 to 150  
150  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1)I ≤0.3A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
j JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
.
July 2001  
1/8  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STS1NK60Z STMICROELECTRONICS

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