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STS20NHS3LL

更新时间: 2024-11-24 03:30:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 305K
描述
N-channel 30V - 0.0032ohm - 20A - SO-8 STripFET III Power MOSFET plus monolithic schottky

STS20NHS3LL 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT包装说明:ROHS COMPLIANT, SOP-8
针数:8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.86
Is Samacsys:N配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):20 A
最大漏极电流 (ID):20 A最大漏源导通电阻:0.0057 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e4湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):2.7 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STS20NHS3LL 数据手册

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STS20NHS3LL  
N-channel 30V - 0.0032- 20A - SO-8™  
STripFET™III Power MOSFET plus monolithic schottky  
General features  
Type  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STS20NHS3LL  
30V  
0.0042Ω  
20A(1)  
1. This value is rated accordingly to Rthj-pcb  
Optimal R  
x Qg trade-off @ 4.5V  
DS(on)  
Reduced switching losses  
Reduced conduction losses  
SO-8  
Improved junction-case thermal resistance  
Description  
This product utilizes the latest advanced design  
rules of ST’s proprietary STripFET™ technology  
and a proprietary process for integrating a  
monolithic Schottky diode. The new Power  
MOSFET is optimized for the most demanding  
synchronous switch function in DC-DC converter  
for Computer and Telecom.  
Internal schematic diagram  
Applications  
Switching application  
Order codes  
Part number  
Marking  
Package  
Packaging  
STS20NHS3LL  
20HS3LL-  
SO-8  
Tape & reel  
January 2007  
Rev 5  
1/12  
www.st.com  
12  

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