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STS2309A

更新时间: 2024-11-23 21:54:23
品牌 Logo 应用领域
三合微科 - SAMHOP 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 718K
描述
P -Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

STS2309A 数据手册

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S TS 2309A  
S amHop Microelectronics C orp.  
Dec 22 2004  
P -C hannel E nhancement Mode Field E ffect Trans is tor  
PR ODUCT S UMMAR Y  
FE ATUR E S  
S uper high dense cell design for low R DS (ON).  
R ugged and reliable.  
VDS S  
ID  
R DS (ON) ( m  
) Max  
130 @ VG S = -4.5V  
190@ VG S = -2.5V  
-20V  
-2.3A  
S OT-23 package.  
D
S OT-23  
G
S
AB S OL UTE MAXIMUM R ATING S (T =25 C unles s otherwis e noted)  
A
Limit  
Unit  
V
P arameter  
S ymbol  
Drain-S ource Voltage  
-20  
10  
V
V
DS  
G S  
V
G ate-S ource Voltage  
I
D
-2.3  
-8  
Drain C urrent-C ontinuousa @ Tc=25 C  
-P ulsed b  
A
A
I
DM  
Drain-S ource Diode Forward C urrent a  
Maximum P ower Dissipation a  
-1.25  
A
I
S
P
D
W
C
1.25  
Operating J unction and S torage  
Temperature R ange  
T
J
, TS TG  
-55 to 150  
THE R MAL CHAR ACTE R IS TICS  
Thermal R esistance, J unction-to-Ambient a  
C
/W  
R
thJ A  
100  
1

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