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STS2601

更新时间： 2024-09-30 06:14:55

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三合微科 - SAMHOP		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	163K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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STS2601 数据手册

STS2601

Ver 1.0

S mHop Microelectronics Corp.

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

Super high dense cell design for low RDS(ON).

VDSS

RDS(ON) (mΩ) Max

Rugged and reliable.

SOT-26 package.

80 @ VGS=-4.5V

110 @ VGS=-2.5V

-4.0A

-20V

SOT 26

Top View

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_A=25 C unless otherwise noted

)

(

Symbol

V_DS

Parameter

Units

Limit

-20

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

T_A=25 C

-4.0

-3.2

Drain Current-Continuous^a

I_D

T_A=70 C

I_DM

-16

-Pulsed

T_A=25 C

Maximum Power Dissipation ^a

P_D

T_A=70 C

1.28

Operating Junction and Storage

Temperature Range

T_J^,T_STG

-55 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

62.5

°C/W

Details are subject to change without notice.

Nov,17,2008

www.samhop.com.tw

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