STS2620

更新时间： 2024-09-30 03:30:47

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三合微科 - SAMHOP		晶体晶体管
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描述
Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor (N and P Channel)

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STS2620 数据手册

S TS 2620

S amHop Microelectronics C orp.

Feb,25 2005 Ver1.1

Dual E nhancement Mode Field E ffect Transistor ( N and P C hannel)

(N-C hannel)

(P -C hannel)

PR ODUCT S UMMAR Y

VDS S

DS (ON) ( m

Ω

) Max

VDS S

DS (ON) ( m

Ω

) Max

80 @ VG S = 4.5V

130 @ VG S = -4.5V

190 @ VG S = -2.5V

-20V

2.5A

-2A

20V

110 @ VG S = 2.5V

TS OP 6

Top View

G 1

S 2

S 1

G 2

G 1

S 1

N-ch

P -ch

S 2

ABS OLUTE MAXIMUM R ATING S (T

P arameter

=25 C unless otherwise noted)

Unit

S ymbol

N-C hannel P -C hannel

Drain-S ource Voltage

G S

-20

G ate-S ource Voltage

2.5

-2

-7

Drain C urrent-C ontinuous ^a@ Tc=25 C

-P ulsed ^b

Drain-S ource Diode Forward C urrent ^a

Maximum P ower Dissipation ^a

1.25

-1.25

1.0

-55 to 150

Operating J unction and S torage

Temperature R ange

TJ , TS TG

THE R MAL C HAR AC TE R IS TIC S

Thermal R esistance, J unction-to-Ambient ^a

J A

125

12 3 4 5 6 7...11

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