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STS25NH3LL

更新时间： 2024-09-29 22:18:35
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体转换器晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 292K
描述
N-CHANNEL 30V - 0.0032 ohm - 25A SO-8 STripFET⑩ III MOSFET FOR DC-DC CONVERSION

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STS25NH3LL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：ROHS COMPLIANT, SOP-8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.81Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：1300 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：25 A
最大漏极电流 (ID)：25 A最大漏源导通电阻：0.005 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STS25NH3LL 数据手册

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STS25NH3LL  
N-CHANNEL 30V - 0.0032 Ω - 25A SO-8  
STripFET™ III MOSFET FOR DC-DC CONVERSION  
V
R
I
D
TYPE  
DSS  
DS(on)  
STS25NH3LL  
30 V  
<0.0035 Ω  
25 A  
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.0032 Ω @ 10V  
DS  
OPTIMAL R (on) x Qg TRADE-OFF @ 4.5V  
DS  
CONDUCTION LOSSES REDUCED  
SWITCHING LOSSES REDUCED  
DESCRIPTION  
The STS25NH3LL utilizes the latest advanced design  
rules of ST's propetary STripFET™ technology. This  
novel 0.6µ process coupled to unique metalization  
techniques re alizes the most advanced low voltage  
MOSFET in SO-8 ever produced. It is therefore suit able  
for the most demanding DC-DC converter applications  
where high efficiency is to be achived at high output  
current.  
SO-8  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
DC-DC CONVERTERS FOR TELECOM AND  
NOTEBOOK CPU CORE  
■
SYNCHRONOUS RECTIFIER  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
30  
Unit  
V
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
30  
V
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
± 18  
25  
V
GS  
I
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
A
D
C
I
D
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
18  
A
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
100  
200  
3.2  
A
DM  
(1)  
E
Single Pulse Avalanche Energy  
mJ  
W
AS  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
tot  
C
(1)  
o
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
Starting T = 25  
C
I
= 12.5A  
V
DD  
= 30V  
j
D
September 2003  
1/8  
.
12345678

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与STS25NH3LL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STS25NH3LL_07 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 30 V - 0.0032 ヘ - 25 A - SO-8 STrip
STS2601 SAMHOP

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 		N-channel 30 V, 0.0038 Ω, 26 A, SO-8 STripFE

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