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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.35 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.45 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.45 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1.8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STS1DNC45 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
DUAL N-CHANNEL 450V - 4.1ohm - 0.4A SO-8 Supe |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQS4901TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET® MOSFET |
|
| FQS4901TF | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，QFET® MOSFET，400V，0.45A，4.2Ω |
|
| FQS4901TF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 400V, 4.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| FQS4903 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V Dual N-Channel MOSFET |
|
| FQS4903TF | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 500V，0.37A，6.2Ω |
|
| FQT13N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
|
| FQT13N06L | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
|
| FQT13N06LTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FQT13N06LTF | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，2.8 A，110 mΩ，S |
|
| FQT13N06TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET® MOSFET 60 V, 2.8 A, 140 mΩ |
|
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