FQT1N80

更新时间： 2024-09-30 12:04:07

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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8页	802K
描述
N-Channel MOSFET

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FQT1N80 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	0.2 A
最大漏源导通电阻：	20 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	5 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FQT1N80 数据手册

November 2007

QFET

FQT1N80

N-Channel MOSFET

800V, 0.2A, 20Ω

Features

Description

•

R_DS(on)= 15.5Ω (Typ.)@ V_GS= 10V, I_D= 0.1A

Low gate charge ( Typ. 5.5nC)

Low Crss ( Typ. 2.7pF)

These N-Channel enhancement mode power field effect

transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar

stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to

minimize on-state resistance, provide superior switching

performance, and withstand high energy pulse in the avalanche

and commutation mode. These devices are well suited for high

efficient switched mode power supplies and active power factor

correction.

Fast switching

100% avalanche tested

Improved dv/dt capability

RoHS compliant

SOT-223

FQT Series

MOSFET Maximum Ratings T_C= 25^oC unless otherwise noted*

Symbol

V_DSS

V_GSS

Parameter

FQT1N80

800

Units

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

±30

-Continuous (T_C= 25^oC)

-Continuous (T_C= 100^oC)

- P ul sed

0.2

I_D

D r a in C u r r e n t

0.12

0.8

I_DM

D rai n Cur rent

(Note 1)

(Note 2)

(Note 1)

(Note 3)

E_AS

I_AR

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

0.2

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

0.2

V/ns

W/^oC

^oC

4.0

(T_C= 25^oC)

- Derate above 25^oC

2.1

P_D

Power Dissipation

0.02

-55 to +150

T_J, T_STG

T_L

Operating and Storage Temperature Range

Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,

1/8” from Case for 5 Seconds

300

^oC

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Thermal Resistance, Junction to Ambient*

Units

^oC/W

Min.

Max.

R_θJA

* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)

FQT1N80 Rev. A

www.fairchildsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FQT1N80TF	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel MOSFET 800V, 0.2A, 20
FQT1N80TFWS	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel MOSFET
FQT1N80TF-WS	ONSEMI	获取价格	功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，800 V，0.2 A，20 Ω，SOT-223
FQT26N03L	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 30V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQT26N03LD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 30V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQT26N03LL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 30V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQT2P25	FAIRCHILD	获取价格	250V P-Channel MOSFET
FQT2P25L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.55A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FQT2P25S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.55A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FQT2P25TF	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.55A I(D), 250V, 4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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