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FQT3N25S62Z

更新时间： 2024-09-30 14:42:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 670K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 250V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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FQT3N25S62Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：40 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (ID)：0.7 A
最大漏源导通电阻：2.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：2.8 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQT3N25S62Z 数据手册

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May 2001  
TM  
QFET  
FQT3N25  
250V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switching DC/DC converters,  
switch mode power supply.  
•
•
•
•
•
0.7A, 250V, R  
= 2.2Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 4.0 nC)  
Low Crss ( typical 4.7 pF)  
Fast switching  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
"
! "  
"
!
G
S
"
G
!
S
SOT-223  
FQT Series  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQT3N20  
250  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
0.7  
A
D
C
- Continuous (T = 70°C)  
0.56  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
2.8  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
40  
mJ  
A
AS  
0.7  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
0.22  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
2.2  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.018  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
Max  
Units  
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
--  
57  
°C/W  
θJA  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, May 2001  
12345678

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与FQT3N25S62Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQT3P20 FAIRCHILD

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 		200V P-Channel MOSFET
FQT3P20S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 0.67A I(D), 200V, 2.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
FQT3P20TF ONSEMI

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 		功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-200 V，-0.67 A，2.7 Ω，SOT
FQT4N20 FAIRCHILD

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FQT4N20D84Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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FQT4N20LL99Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQT4N20LTF ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，200 V，0.85 A，1.4 Ω，
FQT4N20LTF_NL FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 0.85A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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