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FQT26N03LL99Z

更新时间： 2024-09-30 15:46:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 687K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 30V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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FQT26N03LL99Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：5.9 A
最大漏源导通电阻：0.058 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G4元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：23.6 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQT26N03LL99Z 数据手册

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May 2001  
TM  
QFET  
FQT26N03L  
30V LOGIC N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as DC/DC  
converters, high efficiency switching for power  
management in portable and battery operated products.  
•
•
•
•
•
5.9A, 30V, R  
= 0.045Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 8.0 nC)  
Low Crss ( typical 60 pF)  
Fast switching  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
"
! "  
"
S
!
G
"
G
SOT-223  
!
FQT Series  
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQT26N03L  
30  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
5.9  
A
D
C
- Continuous (T = 70°C)  
4.7  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
23.6  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 20  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
150  
mJ  
A
AS  
5.9  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
0.313  
7.0  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
3.13  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.03  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
Max  
Units  
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
--  
40  
°C/W  
θJA  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, May 2001  
12345678

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