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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.33 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 400 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.45 A | 最大漏源导通电阻： | 4.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 1.8 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FQS4903 | FAIRCHILD |
获取价格 |
500V Dual N-Channel MOSFET |
|
| FQS4903TF | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道 QFET® MOSFET 500V，0.37A，6.2Ω |
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| FQT13N06 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V N-Channel MOSFET |
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| FQT13N06L | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V LOGIC N-Channel MOSFET |
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| FQT13N06LTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| FQT13N06LTF | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，2.8 A，110 mΩ，S |
|
| FQT13N06TF | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET® MOSFET 60 V, 2.8 A, 140 mΩ |
|
| FQT13N06TF | ONSEMI |
获取价格 |
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 60 V，2.8 A，140 mΩ，SOT-2 |
|
| FQT1N60C | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm |
|
| FQT1N60CTF_WS | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
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