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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> FQT1N60C
FQT1N60C PDF预览

FQT1N60C

更新时间： 2024-09-30 12:03:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 1043K
描述
N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm

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FQT1N60C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.73
Is Samacsys：NJESD-30 代码：R-PDSO-G4
湿度敏感等级：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：250认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

FQT1N60C 数据手册

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March 2013  
FQT1N60C  
N-Channel QFET® MOSFET  
600V, 0.2 A, 11.5 Ω  
Description  
Features  
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is  
produced using Fairchild Semiconductor®’s proprietary  
planar stripe and DMOS technology. This advanced  
MOSFET technology has been especially tailored to  
reduce on-state resistance, and to provide superior  
switching performance and high avalanche energy  
strength. These devices are suitable for switched mode  
power supplies, active power factor correction (PFC), and  
electronic lamp ballasts.  
•
0.2 A, 600 V, RDS(on)=9.3 Ω(Typ.)@VGS=10 V, ID=0.1 A  
Low Gate Charge (Typ. 4.8 nC)  
Low Crss (Typ. 3.5 pF)  
100% Avalanche Tested  
RoHS Compliant  
•
•
•
•
D
D
S
G
G
SOT-223  
S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted*  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
Parameter  
FQT1N60C  
600  
Unit  
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
±30  
V
-Continuous (TC = 25oC)  
-Continuous (TC = 100oC)  
- P ul sed  
0.2  
ID  
D r a in C u r r e n t  
A
0.12  
0.8  
IDM  
D rai n Cur rent  
(Note 1)  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
A
mJ  
A
EAS  
IAR  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
33  
0.2  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
0.2  
mJ  
V/ns  
W
W/oC  
oC  
4.5  
(TC = 25oC)  
- Derate above 25oC  
2.1  
PD  
Power Dissipation  
0.02  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
TL  
Operating and Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
300  
oC  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction to Ambient*  
Unit  
oC/W  
Min.  
Max.  
RθJA  
-
60  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQT1N60C Rev. C0  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQT1N60CTF_WS FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FQT1N60CTF-WS FAIRCHILD

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 		N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm
FQT1N60CTF-WS ONSEMI

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 		Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 0.2 A,
FQT1N80 FAIRCHILD

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