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FQT13N06TF PDF预览

FQT13N06TF

更新时间： 2024-10-01 11:12:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 233K
描述
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 60 V，2.8 A，140 mΩ，SOT-223

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FQT13N06TF 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：0.68
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：167519Samacsys Pin Count：4
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：SOT223 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-223 4L-16Samacsys Released Date：2015-04-22 06:53:04
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.8 A最大漏极电流 (ID)：2.8 A
最大漏源导通电阻：0.14 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：20 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQT13N06TF 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – N-Channel  
QFET)  
D
S
D
60 V, 2.8 A, 140 m  
ꢀ
G
SOT−223  
CASE 318H−01  
FQT13N06  
Description  
D
This N−Channel enhancement mode power MOSFET is produced  
using onsemi’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This  
advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce  
on−state resistance, and to provide superior switching performance  
and high avalanche energy strength. These devices are suitable for  
switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control,  
and variable switching power applications.  
G
S
Features  
• 2.8 A, 60 V, R  
= 140 mꢀ (Max) @ V = 10 V,  
GS  
DS(on)  
I = 1.4 A  
D
MARKING DIAGRAM  
• Low Gate Charge (Typ. 5.8 nC)  
• Low Crss (Typ. 15 pF)  
• 100% Avalanche Tested  
• This is a Pb−Free Device  
AYW  
FQT13N06TFG  
G
1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
(T = 25°C unless otherwise noted)  
C
A
Y
W
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
V
V
DSS  
Drain to Source Voltage  
Drain Current  
60  
FQT13N06TF = Specific Device Code  
G
I
D
A
= Pb−Free Package  
Continuous (T = 25°C)  
2.8  
2.24  
C
Continuous (T = 70°C)  
C
(Note: Microdot may be in either location)  
I
Drain Current − Pulsed  
(Note 1)  
11.2  
25  
A
V
DM  
V
GSS  
Gate to Source Voltage  
ORDERING INFORMATION  
E
Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2)  
85  
mJ  
A
AS  
AR  
†
Device  
FQT13N06TF  
Shipping  
4000 / Tape & Reel  
Package  
I
Avalanche Current  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
2.8  
0.21  
7.0  
SOT−223  
(Pb−Free)  
E
AR  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Power Dissipation  
mJ  
V/ns  
dv/dt  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
P
D
(T = 25°C)  
2.1  
0.017  
W
W/°C  
C
Derate above 25°C  
T , T  
Operating and Storage Temperature  
Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
T
L
Maximum Lead Temperature  
for Soldering Purposes,  
1/8″ from Case for 5 Seconds  
300  
°C  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.  
2. L = 12.6 mH, I = 2.8 A, V = 25 V, R = 25 ꢀꢁ Starting T = 25°C.  
AS  
DD  
DD  
G
J
3. I ≤ 13 A, di/dt ≤ 300 A/ꢂ s, V ≤ BV  
, Starting T = 25°C.  
SD  
DSS  
J
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2002  
1
Publication Order Number:  
May, 2022 − Rev. 1  
FQT13N06/D  
 
12345678

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FQT13N06TF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQT13N06LTF ONSEMI

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