5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQT13N06L
FQT13N06L PDF预览

FQT13N06L

更新时间： 2024-11-24 22:32:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 678K
描述
60V LOGIC N-Channel MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

FQT13N06L 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-223
包装说明：SOT-223, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.15
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.8 A
最大漏极电流 (ID)：2.8 A最大漏源导通电阻：0.14 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：23 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQT13N06L 数据手册

 浏览型号FQT13N06L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FQT13N06L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FQT13N06L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FQT13N06L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FQT13N06L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FQT13N06L的Datasheet PDF文件第7页 
May 2001  
TM  
QFET  
FQT13N06L  
60V LOGIC N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as automotive, DC/  
DC converters, and high efficiency switching for power  
management in portable and battery operated products.  
•
•
•
•
•
2.8A, 60V, R  
= 0.11Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 4.8 nC)  
Low Crss ( typical 17 pF)  
Fast switching  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
"
! "  
"
S
!
G
"
G
SOT-223  
!
FQT Series  
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQT13N06L  
60  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
2.8  
A
D
C
- Continuous (T = 70°C)  
2.24  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
11.2  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 20  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
85  
mJ  
A
AS  
2.8  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
0.21  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
7.0  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
2.1  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.017  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
Max  
Units  
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
--  
60  
°C/W  
θJA  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, May 2001  
12345678

中文翻译

下载PDF

FQT13N06L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQT13N06LTF ONSEMI

功能相似

 功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，2.8 A，110 mΩ，S
FQT13N06TF ONSEMI

功能相似

 功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 60 V，2.8 A，140 mΩ，SOT-2

与FQT13N06L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQT13N06LTF FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FQT13N06LTF ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，2.8 A，110 mΩ，S
FQT13N06TF FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel QFET® MOSFET 60 V, 2.8 A, 140 mΩ
FQT13N06TF ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 60 V，2.8 A，140 mΩ，SOT-2
FQT1N60C FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm
FQT1N60CTF_WS FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FQT1N60CTF-WS FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel QFET MOSFET 600V, 0.2 A, 11.5 Ohm
FQT1N60CTF-WS ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 0.2 A,
FQT1N80 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel MOSFET
FQT1N80TF FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel MOSFET 800V, 0.2A, 20

与FQT13N06L相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证