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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FQT13N06L
FQT13N06L PDF预览

FQT13N06L

更新时间： 2024-09-29 22:32:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 678K
描述
60V LOGIC N-Channel MOSFET

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FQT13N06L 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-223
包装说明：SOT-223, 4 PIN针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.15
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.8 A
最大漏极电流 (ID)：2.8 A最大漏源导通电阻：0.14 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：23 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQT13N06L 数据手册

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May 2001  
TM  
QFET  
FQT13N06L  
60V LOGIC N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for low voltage applications such as automotive, DC/  
DC converters, and high efficiency switching for power  
management in portable and battery operated products.  
•
•
•
•
•
2.8A, 60V, R  
= 0.11Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 4.8 nC)  
Low Crss ( typical 17 pF)  
Fast switching  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
"
! "  
"
S
!
G
"
G
SOT-223  
!
FQT Series  
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQT13N06L  
60  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
2.8  
A
D
C
- Continuous (T = 70°C)  
2.24  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
11.2  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 20  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
85  
mJ  
A
AS  
2.8  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
0.21  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
7.0  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
2.1  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.017  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
Max  
Units  
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
--  
60  
°C/W  
θJA  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, May 2001  
12345678

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FQT13N06L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQT13N06LTF ONSEMI

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 功率 MOSFET，N 沟道，逻辑电平，QFET®，60 V，2.8 A，110 mΩ，S
FQT13N06TF ONSEMI

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FQT13N06LTF ONSEMI

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FQT13N06TF ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®， 60 V，2.8 A，140 mΩ，SOT-2
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FQT1N80TF FAIRCHILD

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