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STS1HNK60

更新时间: 2024-11-24 03:30:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 303K
描述
N-CHANNEL 600V - 8W - 0.3A SO-8 SuperMESH-TMPower MOSFET

STS1HNK60 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT包装说明:SOP-8
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.77
Is Samacsys:N配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (Abs) (ID):0.3 A
最大漏极电流 (ID):0.3 A最大漏源导通电阻:8.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e4湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

STS1HNK60 数据手册

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STS1HNK60  
N-CHANNEL 600V - 8- 0.3A SO-8  
SuperMESH™Power MOSFET  
TYPE  
V
R
I
D
Pw  
DSS  
DS(on)  
STS1HNK60  
600 V  
< 8.5 Ω  
0.3 A  
2 W  
TYPICAL R (on) = 8 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
GATE CHARGE MINIMIZED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
SO-8  
DESCRIPTION  
The SuperMESH™ series is obtained through an  
extreme optimization of ST’s well established strip-  
based PowerMESH™ layout. In addition to pushing  
on-resistance significantly down, special care is tak-  
en to ensure a very good dv/dt capability for the  
most demanding applications. Such series comple-  
ments ST full range of high voltage MOSFETs in-  
cluding revolutionary MDmesh™ products.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
SWITCH MODE LOW POWER SUPPLIES  
(SMPS)  
LOW POWER, LOW COST CFL (COMPACT  
FLUORESCENT LAMPS)  
LOW POWER BATTERY CHARGERS  
ORDERING INFORMATION  
SALES TYPE  
MARKING  
PACKAGE  
SO-8  
PACKAGING  
STS1HNK60  
S1HNK60  
TAPE & REEL  
August 2003  
1/8  

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