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FQS4900

更新时间： 2024-11-24 22:25:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
9页 1098K
描述
Dual N & P-Channel, Logic Level MOSFET

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FQS4900 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.21配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.3 A
最大漏极电流 (ID)：1.3 A最大漏源导通电阻：0.65 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：5.2 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQS4900 数据手册

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August 2000  
TM  
QFET  
FQS4900  
Dual N & P-Channel, Logic Level MOSFET  
General Description  
Features  
These dual N and P-channel enhancement mode power  
field effect transistors are produced using Fairchild’s  
proprietary, planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. This device is well  
suited for high interface in telephone sets.  
•
N-Channel 1.3A, 60V, R  
R
P-Channel -0.3A, -300V, R  
R
Low gate charge ( typical N-Channel 1.6 nC)  
( typical P-Channel 3.6 nC)  
Fast switching  
= 0.55 Ω @ V = 10 V  
GS  
DS(on)  
DS(on)  
= 0.65 Ω @ V = 5 V  
GS  
= 15.5 Ω @ V = -10 V  
DS(on)  
GS  
= 16 Ω @ V =- 5 V  
DS(on)  
GS  
•
•
•
Improved dv/dt capability  
!
5
6
7
8
4
3
2
1
!
"
!
!
!
D2  
D2  
D1  
D1  
G2  
S2  
G1  
!
!
S1  
#
$
!
!
Absolute Maximum Ratings  
T
= 25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
N-Channel  
P-Channel  
-300  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
60  
1.3  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
DrainCurrent  
-0.3  
A
D
A
- Continuous (T = 70°C)  
0.82  
5.2  
-0.19  
A
A
I
(Note 1)  
(Note 2)  
DrainCurent  
- Pulsed  
-1.2  
A
DM  
V
Gate-Source Voltage  
± 20  
V
GSS  
dv/dt  
Peak Diode Recovery dv/dt  
7.0  
4.5  
V/ns  
W
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
2.0  
1.3  
D
A
(T = 70°C)  
W
A
T , T  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
J
STG  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
Max  
Units  
R
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
62.5  
°C/W  
θJA  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, August 2000  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQS4900TF ROCHESTER

获取价格

 		1.3A, 60V, 0.65ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SOP-8
FQS4900TF ONSEMI

获取价格

 		分立式 MOSFET
FQS4901 FAIRCHILD

获取价格

 		400V Dual N-Channel MOSFET
FQS4901TF FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel QFET® MOSFET
FQS4901TF ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，QFET® MOSFET，400V，0.45A，4.2Ω
FQS4901TF_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 400V, 4.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
FQS4903 FAIRCHILD

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 		500V Dual N-Channel MOSFET
FQS4903TF ONSEMI

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 		N 沟道 QFET® MOSFET 500V，0.37A，6.2Ω
FQT13N06 FAIRCHILD

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 		60V N-Channel MOSFET
FQT13N06L FAIRCHILD

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 		60V LOGIC N-Channel MOSFET

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