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FQA11N90C

更新时间： 2024-09-12 21:55:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
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8页 708K
描述
900V N-Channel MOSFET

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FQA11N90C 数据手册

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FQA11N90C  
900V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies.  
•
•
•
•
•
•
11A, 900V, R  
= 1.1Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 60 nC)  
Low Crss ( typical 23 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
●
◀
▲
●
●
G!  
TO-3P  
FQA Series  
!
S
G D S  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQA11N90C  
900  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
11.0  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
6.9  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
44.0  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
960  
mJ  
A
11.0  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
30  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.0  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
300  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
2.38  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
0.42  
--  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
θJC  
θCS  
θJA  
0.24  
--  
40  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, December 2002  
12345678

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FQA11N90C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FQA11N90C_F109 FAIRCHILD

类似代替

 900V N-Channel MOSFET
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与FQA11N90C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQA11N90C_06 FAIRCHILD

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 		900V N-Channel MOSFET
FQA11N90C_07 FAIRCHILD

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 		900V N-Channel MOSFET
FQA11N90C_F109 FAIRCHILD

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 		900V N-Channel MOSFET
FQA11N90C-F109 FAIRCHILD

获取价格

 		FQA11N90C_F109 N-Channel QFET MOSFET 900 V, 11 A, 1.1 Ohm
FQA11N90C-F109 ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，900 V，11.0 A，1.1 Ω，TO-3P
FQA11N90F109 FAIRCHILD

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 		N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 11.4 A, 960 mÎ
FQA11N90-F109 FAIRCHILD

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 		N-Channel QFET® MOSFET 900 V, 11.4 A, 960 mÎ
FQA11N90-F109 ONSEMI

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 		N 沟道 QFET® MOSFET 900V, 11.4A, 960mΩ
FQA12MHZAAD00010 FOX

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 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 12MHz Nom, ULTRA MINIATURE, CERAMIC, SMD, 2 PIN
FQA12MHZAAD10010 FOX

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 		Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 12MHz Nom, ULTRA MINIATURE, CERAMIC, SMD, 2 PIN

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