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FGPF30N30

更新时间： 2024-11-02 02:52:23

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		光电二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	691K
描述
300V, 30A PDP IGBT

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FGPF30N30 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
集电极-发射极最大电压：	300 V	最大降落时间（tf）：	300 ns
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	30 V
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	46 W	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

FGPF30N30 数据手册

September 2006

FGPF30N30

300V, 30A PDP IGBT

Features

General Description

•

High Current Capability

Low saturation voltage: V_{CE(sat) =}1.4V @ I_C= 20A

High Input Impedance

Employing Unified IGBT Technology, Fairchild's PDP IGBTs

provides low conduction and switching loss. FGPF30N30 offers

the optimum solution for PDP applications where low-condution

loss is essential.

Fast switching

RoHS Complaint

Application

. PDP System

TO-220F

1.Gate 2.Collector 3.Emitter

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Description

FGPF30N30

Units

V_CES

Collector-Emitter Voltage

Gate-Emitter Voltage

300

± 30

V_GES

I_{C pulse(1)}

P_D

Pulsed Collector Current

Maximum Power Dissipation

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

@ T_C

@ T_C= 100^oC

25^oC

18.5

T_J

-55 to +150

^oC

T_stg

T_L

Maximum Lead Temp. for soldering

Purposes, 1/8” from case for 5 seconds

300

^oC

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

2.7

Units

^oC/W

R_θJC(IGBT)

R_θJA

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

62.5

Notes:

(1)Repetitive test , pluse width = 100usec , Duty = 0.1

* Ic_pluse limited by max Tj

FGPF30N30 Rev. A

www.fairchildsemi.com

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