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FGPF4633

更新时间： 2024-11-19 06:59:23

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		光电二极管双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	648K
描述
330V PDP IGBT

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FGPF4633 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.64	外壳连接：	ISOLATED
集电极-发射极最大电压：	330 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	394 ns
标称接通时间 (ton)：	40 ns	Base Number Matches：	1

FGPF4633 数据手册

February 2010

FGPF4633

330V PDP IGBT

Features

General Description

•

High current capability

Using Novel Trench IGBT Technology, Fairchild’s new series of

trench IGBTs offer the optimum performance for PDP applica-

tions where low conduction and switching losses are essential.

Low saturation voltage: V_CE(sat)= 1.55 V @ I_C= 70A

High input impedance

Fast switching

RoHS compliant

Applications

•

PDP System

TO-220F

(Potted)

G C E

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Description

Ratings

330

Units

V_CES

Collector to Emitter Voltage

Gate to Emitter Voltage

Collector Current

V_GES

± 30

@ T_C= 25^oC

300

I_{C pulse(1)*}

Maximum Power Dissipation

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

@ T_C= 25^oC

@ T_C= 100^oC

30.5

^oC

P_D

12.2

T_J

-55 to +150

T_stg

Maximum Lead Temp. for soldering

Purposes, 1/8” from case for 5 seconds

^oC

T_L

300

Thermal Characteristics

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

4.1

Units

^oC/W

R_θJC(IGBT)

R_θJA

Thermal Resistance, Junction to Case

Thermal Resistance, Junction to Ambient

62.5

Notes:

^{(1) Half Sine Wave, D < 0.01, pluse width < 5}µsec

* Ic_pluse limited by max Tj

FGPF4633 Rev. A

www.fairchildsemi.com

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