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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.65 |
| 其他特性： | FAST SWITCHING | 外壳连接： | ISOLATED |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf）： | 300 ns | 门极发射器阈值电压最大值： | 5.5 V |
| 门极-发射极最大电压： | 30 V | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 49.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 352 ns | 标称接通时间 (ton)： | 56 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FGPF70N30TU | FAIRCHILD |
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300V, 70A PDP IGBT |
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| FGPF70N33BT | FAIRCHILD |
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330V, 70A PDP IGBT |
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| FGPF70N33BTRDTU | FAIRCHILD |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 220A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel |
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| FGPF70N33BTTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
330V, 70A PDP IGBT |
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| FGPF7N60LSD | FAIRCHILD |
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600V, 7A Low Saturation IGBT CO-PAK |
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| FGPF7N60RUFD | FAIRCHILD |
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600V, 7A RUF IGBT CO-PAK |
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| FGPF7N60RUFDTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V, 7A RUF IGBT CO-PAK |
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| FGPF90N30 | FAIRCHILD |
获取价格 |
300V, 90A PDP IGBT |
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| FGPXMO162 | ETC |
获取价格 |
FGPXMO162 |
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| FGR.5B.840.CLAD216 | ETC |
获取价格 |
CONN PLUG MALE 41POS SOLDER CUP |
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