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FF450R12IE4BOSA2

更新时间： 2024-09-13 19:50:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 1673K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11

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FF450R12IE4BOSA2 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：11
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：50 weeks风险等级：5.24
外壳连接：ISOLATED集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTORJESD-30 代码：R-XUFM-X7
元件数量：2端子数量：7
最高工作温度：175 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：900 ns
标称接通时间 (ton)：360 nsBase Number Matches：1

FF450R12IE4BOSA2 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FF450R12IE4  
PrimePACK™2ꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT4ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀDiodeꢀundꢀNTC  
PrimePACK™2ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ4ꢀdiodeꢀandꢀNTC  
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData  
VCES = 1200V  
IC nom = 450A / ICRM = 900A  
TypischeꢀAnwendungen  
• Motorantriebe  
TypicalꢀApplications  
• MotorꢀDrives  
• AnwendungenꢀfürꢀResonanzꢀUmrichter  
• Traktionsumrichter  
• ResonantꢀInverterꢀAppliccations  
• TractionꢀDrives  
• USV-Systeme  
• UPSꢀSystems  
• Windgeneratoren  
• WindꢀTurbines  
ElektrischeꢀEigenschaften  
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀTvjꢀop  
• GroßeꢀDC-Festigkeit  
ElectricalꢀFeatures  
• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀTvjꢀop  
• HighꢀDCꢀStability  
• Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender  
• High Short Circuit Capability, Self Limiting Short  
Kurzschlussstrom  
CircuitꢀCurrent  
• NiedrigeꢀSchaltverluste  
• LowꢀSwitchingꢀLosses  
• SehrꢀgroßeꢀRobustheit  
• UnbeatableꢀRobustness  
• VCEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten  
• VCEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀTemperatureꢀCoefficient  
MechanischeꢀEigenschaften  
MechanicalꢀFeatures  
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit  
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400  
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀInsulation  
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400  
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken  
• HoheꢀLast-ꢀundꢀthermischeꢀWechselfestigkeit  
• HoheꢀLeistungsdichte  
• HighꢀCreepageꢀandꢀClearanceꢀDistances  
• HighꢀPowerꢀandꢀThermalꢀCyclingꢀCapability  
• HighꢀPowerꢀDensity  
• SubstratꢀfürꢀkleinenꢀthermischenꢀWiderstand  
• SubstrateꢀforꢀLowꢀThermalꢀResistance  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
ꢀDigit  
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
DMXꢀ-ꢀCode  
preparedꢀby:ꢀAC  
approvedꢀby:ꢀMS  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05  
revision:ꢀ2.4  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FF450R12KE4 INFINEON

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 		62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode
FF450R12KE4_E INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor
FF450R12KE4P INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
FF450R12KE7 INFINEON

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 		62 mm 1200 V, 450 A dual low sat & fast trench IGBT module?with?TRENCHSTOP? IGBT7?and emit
FF450R12KE7_E INFINEON

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 		62 mm 1200 V, 450 A common emitter?IGBT module with TRENCHSTOP? IGBT7 and emitter controll
FF450R12KT4 INFINEON

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FF450R12ME4_B11 INFINEON

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