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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.56 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 675 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X11 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 11 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 740 ns | 标称接通时间 (ton)： | 290 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF450R12ME4P_B11 | INFINEON |
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TIM |
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| FF450R12ME4PB11BOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 675A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11 |
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| FF450R12ME4PBOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 675A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11 |
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| FF450R12ME7_B11 | INFINEON |
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PressFIT |
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| FF450R17IE4 | INFINEON |
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PrimePACK?2 Modul und NTC |
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| FF450R17IE4BOSA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1800A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 |
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| FF450R17ME3 | INFINEON |
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EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon3 diode |
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| FF450R17ME4 | INFINEON |
获取价格 |
EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled3 diode |
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| FF450R17ME4_B11 | INFINEON |
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EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and PressFIT |
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| FF450R17ME4P | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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