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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | 针数： | 10 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.56 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1800 A | 集电极-发射极最大电压： | 1700 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 7 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2800 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 1800 ns | 标称接通时间 (ton)： | 650 ns |
| VCEsat-Max： | 2.45 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF450R17IE4BOSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1800A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10 |
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| FF450R17ME3 | INFINEON |
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EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon3 diode |
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| FF450R17ME4 | INFINEON |
获取价格 |
EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled3 diode |
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| FF450R17ME4_B11 | INFINEON |
获取价格 |
EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and PressFIT |
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| FF450R17ME4P | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| FF450R17ME4P_B11 | INFINEON |
获取价格 |
TIM |
|
| FF450R17ME4PB11BOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11 |
|
| FF450R17ME7_B11 | INFINEON |
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PressFIT |
|
| FF450R33T3E3 | INFINEON |
获取价格 |
Phase leg |
|
| FF450R33T3E3_B5 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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