5秒后页面跳转
FF450R12ME4_B11 PDF预览

FF450R12ME4_B11

更新时间: 2024-11-05 14:51:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON
页数 文件大小 规格书
9页 928K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor

FF450R12ME4_B11 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.55
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

FF450R12ME4_B11 数据手册

 浏览型号FF450R12ME4_B11的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FF450R12ME4_B11的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FF450R12ME4_B11的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FF450R12ME4_B11的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FF450R12ME4_B11的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FF450R12ME4_B11的Datasheet PDF文件第7页 
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-模块  
IGBT-modules  
FF450R12ME4_B11  
EconoDUAL™3ꢀ模块ꢀ采用第四代沟槽栅/场终止IGBT4和HE型发射极控制二极管  
带有pressfit压接管脚和温度检测NTC  
EconoDUAL™3ꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT4ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀHEꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC  
初步数据ꢀ/ꢀPreliminaryꢀData  
VCES = 1200V  
IC nom = 450A / ICRM = 900A  
典型应用  
TypicalꢀApplications  
• MotorꢀDrives  
电机传动  
伺服驱动器  
UPS系统  
风力发电机  
• ServoꢀDrives  
• UPSꢀSystems  
• WindꢀTurbines  
电气特性  
ElectricalꢀFeatures  
• LowꢀVCEsat  
低ꢀꢀVCEsat  
Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
机械特性  
MechanicalꢀFeatures  
PressFITꢀ压接技术  
标封装  
• PressFITꢀContactꢀTechnology  
• StandardꢀHousing  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
ꢀDigit  
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
DMXꢀ-ꢀCode  
preparedꢀby:ꢀMB  
approvedꢀby:ꢀMK  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05  
revision:ꢀ2.0  
ULꢀapprovedꢀ(E83335)  
1

与FF450R12ME4_B11相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FF450R12ME4B11BOSA1 INFINEON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 675A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
FF450R12ME4B11BPSA1 INFINEON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor,
FF450R12ME4EB11BPSA1 INFINEON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 675A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
FF450R12ME4P INFINEON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 675A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
FF450R12ME4P_B11 INFINEON

获取价格

TIM
FF450R12ME4PB11BOSA1 INFINEON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 675A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
FF450R12ME4PBOSA1 INFINEON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 675A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
FF450R12ME7_B11 INFINEON

获取价格

PressFIT
FF450R17IE4 INFINEON

获取价格

PrimePACK?2 Modul und NTC
FF450R17IE4BOSA2 INFINEON

获取价格

Insulated Gate Bipolar Transistor, 1800A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10