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FF300R12KE3

更新时间： 2024-02-16 16:36:44
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英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管双极性晶体管栅局域网
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9页 264K
描述
62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und EmCon High Efficiency Diode

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FF300R12KE3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：7
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.04Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：440 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X7
元件数量：2端子数量：7
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1470 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：830 ns
标称接通时间 (ton)：400 nsVCEsat-Max：2.2 V
Base Number Matches：1

FF300R12KE3 数据手册

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Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FF300R12KE3  
62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und EmCon High Efficiency Diode  
62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1200  
V
collector-emitter voltage  
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
300  
440  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
600  
1450  
+/-20  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 300 A, V•Š = 15 V  
I† = 300 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,70 2,15  
2,00  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 12,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
5,0  
5,8  
2,80  
2,5  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
21,0  
0,85  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
I†Š»  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
5,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 300 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,25  
0,30  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 300 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,09  
0,10  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 300 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,55  
0,65  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 300 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,13  
0,18  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 300 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH  
V•Š = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C  
R•ÓÒ = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
17,0  
25,0  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
EÓËË  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 300 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH  
V•Š = ±15 V, du/dt = 4000 V/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C  
R•ÓËË = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
29,5  
44,0  
mJ  
mJ  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C  
1200  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,085 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
0,031  
K/W  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Martin Knecht  
date of publication: 2007-06-27  
revision: 3.2  
approved by: Wilhelm Rusche  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FF300R12KE3HOSA1 INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 440A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R12KE4 INFINEON

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 		Technische Information / technical information
FF300R12KE4_B2 INFINEON

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 		62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4, Emitter Controlled diode and M5 power te
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 		暂无描述
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