5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > IGBT> FF300R12KE3
FF300R12KE3 PDF预览

FF300R12KE3

更新时间： 2024-11-30 12:26:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
9页 264K
描述
62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und EmCon High Efficiency Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

FF300R12KE3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：7
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.04Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：440 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X7
元件数量：2端子数量：7
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1470 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：830 ns
标称接通时间 (ton)：400 nsVCEsat-Max：2.2 V
Base Number Matches：1

FF300R12KE3 数据手册

 浏览型号FF300R12KE3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FF300R12KE3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FF300R12KE3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FF300R12KE3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FF300R12KE3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FF300R12KE3的Datasheet PDF文件第7页 
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FF300R12KE3  
62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und EmCon High Efficiency Diode  
62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1200  
V
collector-emitter voltage  
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
300  
440  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
600  
1450  
+/-20  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 300 A, V•Š = 15 V  
I† = 300 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,70 2,15  
2,00  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 12,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
5,0  
5,8  
2,80  
2,5  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
21,0  
0,85  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
I†Š»  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
5,0 mA  
400 nA  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 300 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,25  
0,30  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 300 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,09  
0,10  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 300 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,55  
0,65  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 300 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,13  
0,18  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 300 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH  
V•Š = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C  
R•ÓÒ = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
17,0  
25,0  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
EÓËË  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 300 A, V†Š = 600 V, L» = 60 nH  
V•Š = ±15 V, du/dt = 4000 V/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C  
R•ÓËË = 2,4 Â  
TÝÎ = 25°C  
29,5  
44,0  
mJ  
mJ  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C  
1200  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,085 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
0,031  
K/W  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Martin Knecht  
date of publication: 2007-06-27  
revision: 3.2  
approved by: Wilhelm Rusche  
1
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与FF300R12KE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FF300R12KE3HOSA1 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 440A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R12KE4 INFINEON

获取价格

 		Technische Information / technical information
FF300R12KE4_B2 INFINEON

获取价格

 		62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT4, Emitter Controlled diode and M5 power te
FF300R12KE4_E INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor
FF300R12KE4B2HOSA1 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 460A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R12KE4P INFINEON

获取价格

 		暂无描述
FF300R12KE4PHOSA1 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R12KF2 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW060
FF300R12KS4 INFINEON

获取价格

 		Technische Information / technical information
FF300R12KS4HOSA1 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 370A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

与FF300R12KE3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证