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FF300R12KT3HOSA1

更新时间： 2024-11-18 14:50:23

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英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	384K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 480A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

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FF300R12KT3HOSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	7
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	2.07
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	480 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	680 ns
标称接通时间 (ton)：	215 ns	Base Number Matches：	1

FF300R12KT3HOSA1 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF300R12KT3

62mmꢀC-SerienꢀModulꢀmitꢀschnellemꢀTrench/FeldstopꢀIGBT3ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀHighꢀEfficiencyꢀDiodeꢀ

62mmꢀC-seriesꢀmoduleꢀwithꢀfastꢀtrench/fieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀHighꢀEfficiencyꢀdiodeꢀ

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1200

ꢀ

Collector-emitterꢀvoltage

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

300

480

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

600

1450

+/-20

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 300 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,70 2,15

1,90

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 12,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

5,0

5,8

2,80

2,5

21,0

0,85

ꢀ

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,16

0,17

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,04

0,045

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,45

0,52

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,10

0,16

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 300 A, V_CE= 600 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 6000 A/µs

R_Gon= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

16,5

25,0

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 300 A, V_CE= 600 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 4500 V/µs

R_Goff= 2,4 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

24,5

37,0

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 900 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

1200

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,085 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,03

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀMK

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ3.0

12 3 4 5 6 7 8

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FF300R12KT3HOSA1 替代型号

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FF300R12KT3PEHOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R12KT4	INFINEON	获取价格	Technische Information / technical information
FF300R12KT4P	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FF300R12KT4PHOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R12ME3	INFINEON	获取价格	EconoDUAL module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
FF300R12ME4	INFINEON	获取价格	EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC
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FF300R12ME4B11BPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 450A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
FF300R12ME4BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 450A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11

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