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FF300R12KT4

更新时间： 2024-11-18 07:07:55

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FF300R12KT4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	7
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.49	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	450 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1600 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	720 ns
标称接通时间 (ton)：	230 ns	VCEsat-Max：	2.15 V
Base Number Matches：	1

FF300R12KT4 数据手册

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FF300R12KT4

62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstop IGBT4 und und optimierter EmCon Diode

62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and optimized EmCon Diode

IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

Vorläufige Daten / preliminary data

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

TÝÎ = 25°C

V†Š»

1200

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

T† = 100°C, TÝÎ = 175°C

T† = 25°C, TÝÎ = 175°C

I† ÒÓÑ

I†

300

450

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t« = 1 ms

I†ç¢

PÚÓÚ

600

1600

+/-20

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T† = 25°C, TÝÎ = 175°C

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V•Š»

Charakteristische Werte / characteristic values

min. typ. max.

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I† = 300 A, V•Š = 15 V

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ

TÝÎ = 150°C

1,75 2,15

2,05

2,10

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I† = 11,5 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C

V•Š = -15 V ... +15 V

V•ŠÚÌ

Q•

5,2

5,8

2,40

2,5

6,4

µC

Gateladung

gate charge

Interner Gatewiderstand

internal gate resistor

TÝÎ = 25°C

R•ÍÒÚ

CÍþÙ

CØþÙ

I†Š»

I•Š»

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V

V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C

V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C

19,0

0,81

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

5,0 mA

400 nA

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn-on delay time (inductive load)

I† = 300 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓÒ = 1,8 Â

TÝÎ = 25°C

tÁ ÓÒ

0,16

0,17

0,18

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

I† = 300 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓÒ = 1,8 Â

TÝÎ = 25°C

tØ

0,04

0,045

0,05

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn-off delay time (inductive load)

I† = 300 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓËË = 1,8 Â

TÝÎ = 25°C

tÁ ÓËË

0,45

0,52

0,54

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

I† = 300 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓËË = 1,8 Â

TÝÎ = 25°C

tË

0,10

0,16

0,18

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn-on energy loss per pulse

I† = 300 A, V†Š = 600 V, L» = 30 nH TÝÎ = 25°C

V•Š = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C

16,5

25,0

30,0

EÓÒ

EÓËË

R•ÓÒ = 1,8 Â

TÝÎ = 150°C

Abschaltverlustenergie pro Puls

turn-off energy loss per pulse

I† = 300 A, V†Š = 600 V, L» = 30 nH TÝÎ = 25°C

V•Š = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C

19,5

29,5

32,5

R•ÓËË = 1,8 Â

TÝÎ = 150°C

Kurzschlussverhalten

SC data

V•Š ù 15 V, V†† = 900 V

V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt

I»†

t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C

1200

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro IGBT / per IGBT

ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)

RÚÌœ†

RÚÌ†™

0,093 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

0,032

K/W

ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

prepared by: Martin Knecht

date of publication: 2008-01-25

revision: 2.1

approved by: Wilhelm Rusche

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FF300R12KT4 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SKM300GB12E4	SEMIKRON	功能相似	IGBT4 Modules

与FF300R12KT4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FF300R12KT4P	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FF300R12KT4PHOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R12ME3	INFINEON	获取价格	EconoDUAL module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
FF300R12ME4	INFINEON	获取价格	EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC
FF300R12ME4_B11	INFINEON	获取价格	EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and PressFIT
FF300R12ME4B11BPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 450A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
FF300R12ME4BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 450A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
FF300R12ME4P_B11	INFINEON	获取价格	TIM
FF300R12ME7_B11	INFINEON	获取价格	PressFIT
FF300R12MS4	INFINEON	获取价格	EconoDUAL3 module with fast IGBT2 for high switching frequency

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