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FF300R17KE3

更新时间： 2024-11-19 11:14:03

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关双极性晶体管二极管
页数	文件大小	规格书
8页	652K
描述
半桥 62 mm 1700 V 300 A 双开关 IGBT 模块，采用第三代 TRENCHSTOP™ IGBT 和第三代发射极控制二极管，是您设计工作的不二之选。

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FF300R17KE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	7
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.05	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	404 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1450 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1200 ns
标称接通时间 (ton)：	400 ns	VCEsat-Max：	2.45 V
Base Number Matches：	1

FF300R17KE3 数据手册

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FF300R17KE3

62mmꢀC-SerienꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstopꢀIGBT3ꢀundꢀEmitterꢀControlled3ꢀDiodeꢀ

62mmꢀC-seriesꢀmoduleꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlled3ꢀdiodeꢀ

初步数据

PreliminaryꢀData

IGBT,ꢀ逆变器ꢀ/ꢀIGBT,Inverter

最大额定值ꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

集电极－发射极电压

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1700

ꢀ

连续集电极直流电流

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

300

404

集电极重复峰值电流

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

600

1450

+/-20

总功率损耗

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

ꢀ W

栅极－发射极峰值电压

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

ꢀ

特征值ꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

集电极－发射极饱和电压

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 300 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,00 2,45

2,40

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

栅极阈值电压

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 12,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

5,2

5,8

3,50

2,5

27,0

0,90

ꢀ

6,4

µC

Ω

栅极电荷

Gateꢀcharge

ꢀ

内部栅极电阻

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

输入电容

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1700 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

反向传输电容

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

集电极-发射极截止电流

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

3,0 mA

栅极-发射极漏电流

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

开通延迟时间(电感负载)

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,28

0,30

ꢀ

µs

上升时间(电感负载)

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,08

0,10

µs

t_r

t_{d off}

t_f

关断延迟时间(电感负载)

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,80

1,00

µs

下降时间(电感负载)

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,12

0,20

µs

开通损耗能量ꢀ(每脉冲)

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 300 A, V_CE= 900 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 3600 A/µs

R_Gon= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

71,0

105

E_on

E_off

关断损耗能量ꢀ(每脉冲）

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 300 A, V_CE= 900 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 3500 V/µs

R_Goff= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

64,0

94,0

ꢀ

短路数据

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 1000 V

I_SC

ꢀ

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

每个ꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

1200

结－外壳热阻

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,085 K/W

K/W

外壳－散热器热阻

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,033

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

在开关状态下温度

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀHS

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

12 3 4 5 6 7 8

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与FF300R17KE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FF300R17KE3HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 404A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R17KE4	INFINEON	获取价格	62mm C-Series module with trench/Fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled Diode
FF300R17KE4HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 440A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R17KE4P	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FF300R17KE4PHOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 440A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R17ME3	INFINEON	获取价格	EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon3 diode
FF300R17ME3BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 375A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
FF300R17ME3ENG	INFINEON	获取价格	暂无描述
FF300R17ME4	INFINEON	获取价格	EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled3 diode
FF300R17ME4_B11	INFINEON	获取价格	EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and PressFIT /

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