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FF300R17KE3HOSA1

更新时间： 2024-11-18 21:06:03

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	392K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 404A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

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FF300R17KE3HOSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	7
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	14 weeks	风险等级：	2.09
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	404 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1200 ns
标称接通时间 (ton)：	400 ns	Base Number Matches：	1

FF300R17KE3HOSA1 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FF300R17KE3

62mmꢀC-SerienꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstopꢀIGBT3ꢀundꢀEmitterꢀControlled3ꢀDiodeꢀ

62mmꢀC-seriesꢀmoduleꢀwithꢀtrench/fieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlled3ꢀdiodeꢀ

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1700

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

300

404

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

600

1450

+/-20

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 300 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,00 2,45

2,40

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 12,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

5,2

5,8

3,50

2,5

27,0

0,90

ꢀ

6,4

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1700 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

3,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,28

0,30

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,08

0,10

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,80

1,00

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 300 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,12

0,20

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 300 A, V_CE= 900 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 3600 A/µs

R_Gon= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

71,0

105

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 300 A, V_CE= 900 V, L_S= 60 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 3500 V/µs

R_Goff= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

64,0

94,0

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 1000 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

1200

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,085 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,033

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀHS

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FF300R17KE4	INFINEON	获取价格	62mm C-Series module with trench/Fieldstopp IGBT4 and Emitter Controlled Diode
FF300R17KE4HOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 440A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R17KE4P	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
FF300R17KE4PHOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 440A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FF300R17ME3	INFINEON	获取价格	EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon3 diode
FF300R17ME3BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 375A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
FF300R17ME3ENG	INFINEON	获取价格	暂无描述
FF300R17ME4	INFINEON	获取价格	EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled3 diode
FF300R17ME4_B11	INFINEON	获取价格	EconoDUAL3 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and PressFIT /
FF300R17ME4B11BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 375A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11

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