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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.55 | 其他特性： | UL APPROVED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 720 ns | 标称接通时间 (ton)： | 230 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FF300R12ME3 | INFINEON |
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EconoDUAL module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode |
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| FF300R12ME4 | INFINEON |
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EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC |
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| FF300R12ME4_B11 | INFINEON |
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EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and PressFIT |
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| FF300R12ME4B11BPSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 450A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11 |
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| FF300R12ME4BOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 450A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11 |
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| FF300R12ME4P_B11 | INFINEON |
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TIM |
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| FF300R12ME7_B11 | INFINEON |
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PressFIT |
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| FF300R12MS4 | INFINEON |
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EconoDUAL3 module with fast IGBT2 for high switching frequency |
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| FF300R17KE3 | INFINEON |
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半桥 62 mm 1700 V 300 A 双开关 IGBT 模块，采用第三代 TRENC |
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| FF300R17KE3 | EUPEC |
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62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon3 diode |
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